氮在共摻雜氧化鋅中的溶解度可增強(qiáng)400倍

       氧化鋅廠新發(fā)現(xiàn)，由于N受主和反應(yīng)施主共摻雜之間的劇烈作用，氮和反應(yīng)施主的共摻雜會(huì)下降其在能帶中的受主能級(jí)方位。DOS（態(tài)密度）峰向價(jià)帶頂?shù)囊苿?dòng)暗示著受主能級(jí)的下降。和作為受主的Li共摻雜或許和作為活性施主的F共摻雜，可以制備低電阻率的P型氧化鋅。

       氧化鋅廠對(duì)ZnO中Ga和N溶解度約束的研討標(biāo)明，比較于N摻雜的ZnO，氮在共摻雜ZnO中的溶解度可以增強(qiáng)400倍（by a factor of）。運(yùn)用共摻雜法，Joseph等[463]運(yùn)用帶有等離子源的PLD體系成功制備了所謂的P型氧化鋅薄膜。關(guān)于Ga和N的共摻雜，已然N2O能既能有用按捺氧空位，一同又能引入氮作為受主。Hall 和Seebeck系數(shù)測(cè)量法驗(yàn)證了它的P型導(dǎo)電功用，電阻率為0.5Ωcm，載流子濃度為5×1019 cm?3，和很低的載流子遷移率0.07 cm2 /V s。這么低的載流子遷移率讓我們對(duì)P型導(dǎo)電性發(fā)作懷疑。它也標(biāo)明在共摻雜技術(shù)中，非平衡態(tài)成長(zhǎng)進(jìn)程時(shí)必需求低溫。雖然在共摻雜的氧化鋅薄膜中觀察到了P型導(dǎo)電功用，但由于短少表征，例如共摻雜中Ga和N在禁帶中的施主和受主能級(jí)方位，所以P型特征的來(lái)歷并不理解。

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